재료공학實驗 - PN jungtion 다이오드 實驗
페이지 정보
작성일 23-09-10 06:02
본문
Download : 재료공학실험 - PN jungtion 다이오드 실험.hwp
이 반도체 소자는 독특한 property(특성), 즉 전류를 한쪽 방향으로만 통과시키는 능력이 있다 P형쪽에 전…(생략(省略))
설명
Download : 재료공학실험 - PN jungtion 다이오드 실험.hwp( 63 )
레포트/공학기술
PN jungtion 다이오드 예비 實驗리포트입니다.
- 게르마늄에 인듐(In), 갈륨(Ga), 붕소(B) 등의 불순물을 넣어 전자가 부족한 상태로 만든 반도체
n형 반도체(아래) : 실리콘 결정 속에 최외각 전자가 5개인 인을 넣으면 인 주변에 전자가 1개 남게 되고 이전자가 움직이면서 전류가 흐르는데, 이런 형태를 n형 반도체라 한다. 인의 전자 1개는 전기장을 걸었을 때 자유롭게 옮겨 다니므로 전자가 과잉으로 있는 n형 반도체가 된다된다. !~
PN jungtion 다이오드 예비 실험리포트입니다. P는 포지티브(양)의 약자이며, 전자가 모자라 양전하 구멍이 생기기 때문에 붙여진 이름이다. 여기서 n이란 네거티브(음)의 약자이다.
p형 반도체(위) : 실리콘 결정에 최외각 전자가 3개인 붕소를 넣으면 홀이 만들어지고, 홀 옆의 전자가 계속 이동해 홀을 채우는 형식으로 전류가 흐르며, 이를 외부에서 보면 (+) 전자가 움직이는 것과 같다 해서 p형 반도체라 부른다. 여러모로 활용이 되시길 바라며, 좋은 하루 보내시고 늘 행복하시기 바라겠습니다. 각 이론과 측정장비에 대해서 정리했습니다.
- 실리콘에 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 중에서 하나를 넣어 전자가 남는 상태로 만든 반도체
2) junction의 원리, 목적
a. pn접합의 생성
P형과 N형 실리콘을 서로 결합하면 접합 다이오드가 만들어진다. 각 이론과 측정(測定) 장비에 상대하여 정리(arrangement)했습니다. !~ , 재료공학실험 - PN jungtion 다이오드 실험공학기술레포트 ,
재료공학實驗 - PN jungtion 다이오드 實驗
,공학기술,레포트
순서
다. 여러모로 활용이 되시길 바라며, 좋은 하루 보내시고 늘 행복하시기 바라겠습니다.
