I-V measurement
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작성일 24-05-28 07:39
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본 자료(data)는 I-V measurement test(실험) 보고서입니다.
레포트/공학기술
순서
I-V measurement
설명
i-vmeasurement
I Introduction
전자재료, 특히 반도체 재료에서 전기적 特性(특성)(electrical properties)을 조사하는 것은 상당히 중요하다. 이런 흐름(flow)을 ‘transport…(생략(省略))
다. 그리고 마지막으로 실제 측정(測定) 에서 사용되는 장비에 대해 간략히 introduce하도록 하겠다.
II. Carrier Transport Phenomena in general materials
재료에서 전자와 전공(hole)과 같은 charged particle의 net flow에 의해 전류가 흐른다. 이런 electrical property를 측정(測定) 하는 방법 중에 I-V 측정(測定) 이 있는데, 이는 우리가 원하는 재료에 특정 전압을 흘려 주었을 때 이에 reaction 하여 나타나는 전류를 측정(測定) 함으로써 그 재료의 비저항이라든가 누설전류(leakage current) 特性(특성), 그리고 파괴 전압 (breakdown voltage) 등을 측정(測定) 할 수 있따 이런 측정(測定) 값을 토대로 우리가 증착한 유전체 박막의 特性(특성)을 평가할 수 있게 된다
이런 I-V 측정(測定) 을 이해 하기위해 먼저 일반적인 반도체 재료에서의 carrier transport phenomena에 대상으로하여 간략히 알아본 다음 도체-부도체 사이의 contact으로부터 전류가 흐르는 메커니즘의 이해를 통해 voltage를 흘려줄 때 어떤 reaction 을 통해 전류가 유전체 박막을 통해 흐르게 되는지 알아보겠다.본 자료는 I-V measurement 실험 보고서입니다.
