[Engineering,기술] 전자Engineering 실험 - MOSFET 증폭회로
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작성일 23-11-24 17:08
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실험과제/기타
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설명
[Engineering,기술] 전자Engineering 실험 - MOSFET 증폭회로
MOSFET 증폭회로
1. 實驗 목적
- MOS 전계 efficacy 트랜지스터의 소신호 동작과 등가회로를 이해하고, 공통 소스 증폭기와 공통 드레인 증폭기를 구성하여 증폭현상을 관측하며, 증폭기의 중요한 特性(특성)을 측정(measurement)한다.- 동작점 Q에서 드레인 신호 전류 와 게이트 신호 전압 의 관계를 나타내는 MOS트랜지스터 트랜스컨덕턴스…(drop)
C. 공통 드레인 증폭기
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[Engineering,기술] 전자Engineering 실험 - MOSFET 증폭회로
다.
`그림 1` 소신호 동작을 설명(說明)하기 위한 회로
- 드레인 순시전류는 직류전류 , 선형 신호 전류 , 그리고 입력 신호의 제곱에 비례하는 이차 신호 전류의 합으로 표현되는 것을 알 숭 lT다. 그리고 동작점의 이동으로 인한 출력 신호 파형의 변화를 實驗으로 watch한다.
2. 實驗 해설
A. 소신호 동작과 모델- 활성 영역에서 동작하도록 바이어스된 MOS 트랜지스터는 신호를 증폭할 수 있따 소신호 동작에 집중하기 위해 `그림 1`과 같이 직류전압 를 사용하여 동작점을 원리적으로 간단히 설정한다. 이 왜곡을 줄이기 위하여 신호 크기는 다음과 같은 소신호 조건을 만족하도록 충분히 작아야 한다. 마지막 항은 출력신호에 비선형 왜곡(nonlinear distortion)을 수반한다.
