기초회로실험 - 브리지에 의한 LC 측정(measurement)
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작성일 23-03-23 22:09
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(1)임피던스 브리지의 평형조건
로 정의(定義) 된다된다.
기초회로실험 - 브리지에 의한 LC 측정(measurement)
1.실험제목 기초회로실험 - 브리지에 의한 LC 측정 2.실험이론 목적 : 임피던스 브리지를 이용하여 인덕턴스, 커패시턴스를 측정하여 원리를 이해하고, 그 방법을 익힌다.
다.
기초회로실험 - 브리지에 의한 LC 측정(measurement)
(2)커패시턴스의 측정(測定)
기초회로실험,브리지에 의한 LC 측정
그 방법을 익힌다. 본 實驗에서는 임피던스 브리지를 이용하여 인덕턴스, Q-지수, 커패시턴스, D-지수 등을 측정(測定) 하는 방법을 살펴보도록 하겠다. 일반적으로, 브리지에 의한 측정(測定) 은, 이미 알고 있는 정확한 임피던스 값들만을 토대로 하여 비지의 임피던스 값을 구하는 것이기 때문에, 그 측정(測定) 의(定義) 정확도가 높다. 이상적인 커패시터가 되려면 가 되어야 하며, 이 때 D-지수는 0이 되는 것을 알 수 있다아
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임을 도출해 낼 수 있다아 이 페이서 관계식이 성립한다는 것은 양변의 크기와 위상이 각각 서로 같고, 실수부와 허수부가 각각 서로 같음을 의미하는 것에 유의해야 한다. <實驗4>의 그림 4와 비교할 때 저항들이 임피던스로 대체되고, 직류전원이 주파수 ω인 교류전원으로 대체된 것을 볼 수 있다아
2.실험이론





theory(이론) : 앞서 實驗4 에서는 Wheastone 브리지를 사용하여 미지의 저항값을 측정(測定) 하는 방법을 實驗했었다.
순서
1.실험タイトル
이상적인 커패시터는 커패시턴스 C만 가지지만, 실제의 커패시터는 불완전하여 그림 2와 같이 에너지 소모성 저항 R이 C와 결합된 형태로 나타난다. 그림에서 DET는 감지장치를 나타낸다.
목적 : 임피던스 브리지를 이용하여 인덕턴스, 커패시턴스를 측정(measurement)하여 원리를 이해하고,
그림 1은 일반적인 임피던스 브리지 회로를 보인 것이다. 이 때 커패시터의 소모성을 표시하는 척도가 D-지수이며, 직렬저항 , 병렬저항 에 마주향하여 각각
설명
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브리지의 감지장치에 흐르는 전류가 0인 상태를 브리지의 평형상태라 한다. 실제로 브리지는 저항뿐만 아니라 인덕턴스, 커패시턴스, 인덕턴스 Q-지수, 커패시터의 D-지수 등을 측정(測定) 하는 데에도 이용할 수 있다아 이 때 사용되는 브리지는 Wheastone 브리지의 구성저항들을 임피던스들로 확장시키는 것으로서, 임피던스 브리지라 부른다. 이 때 브리지의 평형상태를 감지하는 검류계 등의 감지장치는 임피던스 측정(測定) 기에 影響(영향)을 주지 않는다.